IR2112STRPBF

IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
IR2112STRPBF P1
IR2112STRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IR2112STRPBF

Numéro d'article
IR2112STRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article IR2112STRPBF
État de la pièce Active
Configuration pilotée Half-Bridge
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 10 V ~ 20 V
Tension logique - VIL, VIH 6V, 9.5V
Courant - sortie de crête (source, évier) 250mA, 500mA
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 600V
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Package de périphérique fournisseur 16-SOIC

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