FF75R12YT3BOMA1

IGBT MODULE VCES 1200V 75A
FF75R12YT3BOMA1 P1
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Infineon Technologies ~ FF75R12YT3BOMA1

Numéro d'article
FF75R12YT3BOMA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT MODULE VCES 1200V 75A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FF75R12YT3BOMA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article FF75R12YT3BOMA1
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT -
Configuration 2 Independent
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Puissance - Max 345W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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