D850N30TXPSA1

DIODE GEN PURP 3KV 850A
D850N30TXPSA1 P1
D850N30TXPSA1 P1
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Infineon Technologies ~ D850N30TXPSA1

Numéro d'article
D850N30TXPSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
DIODE GEN PURP 3KV 850A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- D850N30TXPSA1 PDF online browsing
Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article D850N30TXPSA1
État de la pièce Last Time Buy
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 3000V
Courant - Rectifié moyen (Io) 850A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.28V @ 850A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 50mA @ 3000V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas DO-200AB, B-PUK
Package de périphérique fournisseur -
Température de fonctionnement - Jonction -40°C ~ 160°C

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