BSM100GD120DLCBOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
BSM100GD120DLCBOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSM100GD120DLCBOSA1

Numéro d'article
BSM100GD120DLCBOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- BSM100GD120DLCBOSA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article BSM100GD120DLCBOSA1
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT NPT
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Puissance - Max -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 12.2µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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