AUIR3200STR

IC MFET DRVR HIGH SIDE 8SOIC
AUIR3200STR P1
AUIR3200STR P1
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Infineon Technologies ~ AUIR3200STR

Numéro d'article
AUIR3200STR
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IC MFET DRVR HIGH SIDE 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article AUIR3200STR
État de la pièce Active
Configuration pilotée High-Side
Type de canal Single
Nombre de pilotes 1
Type de porte N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 6 V ~ 36 V
Tension logique - VIL, VIH 0.9V, 2.7V
Courant - sortie de crête (source, évier) -
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) 1µs, 1µs
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC

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