2EDN7524FXTMA1

IC GATE DRVR 8SOIC
2EDN7524FXTMA1 P1
2EDN7524FXTMA1 P1
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Infineon Technologies ~ 2EDN7524FXTMA1

Numéro d'article
2EDN7524FXTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IC GATE DRVR 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article 2EDN7524FXTMA1
État de la pièce Active
Configuration pilotée Low-Side
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 4.5 V ~ 20 V
Tension logique - VIL, VIH -
Courant - sortie de crête (source, évier) 5A, 5A
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) 5.3ns, 4.5ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur PG-DSO-8-60

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