GD5F4GQ4UBYIGR

SPI NAND FLASH
GD5F4GQ4UBYIGR P1
GD5F4GQ4UBYIGR P1
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited ~ GD5F4GQ4UBYIGR

Numéro d'article
GD5F4GQ4UBYIGR
Fabricant
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
La description
SPI NAND FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- GD5F4GQ4UBYIGR PDF online browsing
Famille
Mémoire
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Numéro d'article GD5F4GQ4UBYIGR
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FLASH
La technologie FLASH - NAND
Taille mémoire 4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge 120MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface de mémoire SPI - Quad I/O
Tension - Alimentation 2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-WDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 8-WSON (6x8)

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