GD5F1GQ4RF9IGR

SPI NAND FLASH
GD5F1GQ4RF9IGR P1
GD5F1GQ4RF9IGR P1
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited ~ GD5F1GQ4RF9IGR

Numéro d'article
GD5F1GQ4RF9IGR
Fabricant
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
La description
SPI NAND FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Mémoire
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Numéro d'article GD5F1GQ4RF9IGR
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FLASH
La technologie FLASH - NAND
Taille mémoire 1Gb (128M x 8)
Fréquence d'horloge 120MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page 700µs
Temps d'accès -
Interface de mémoire SPI - Quad I/O
Tension - Alimentation 1.7V ~ 2V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-WLGA Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 8-LGA (6x8)

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