GD25LQ10CEIGR

NOR FLASH
GD25LQ10CEIGR P1
GD25LQ10CEIGR P1
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited ~ GD25LQ10CEIGR

Numéro d'article
GD25LQ10CEIGR
Fabricant
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
La description
NOR FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Mémoire
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Numéro d'article GD25LQ10CEIGR
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FLASH
La technologie FLASH - NOR
Taille mémoire 1Mb (128K x 8)
Fréquence d'horloge 104MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page 50µs, 2.4ms
Temps d'accès -
Interface de mémoire SPI - Quad I/O
Tension - Alimentation 1.65V ~ 2.1V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-XFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 8-USON (2x3)

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