MURTA300120R

DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
MURTA300120R P1
MURTA300120R P2
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GeneSiC Semiconductor ~ MURTA300120R

Numéro d'article
MURTA300120R
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Matrices
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Numéro d'article MURTA300120R
État de la pièce Active
Configuration de diode 1 Pair Common Anode
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) 150A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 2.6V @ 150A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 25µA @ 600V
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Three Tower
Package de périphérique fournisseur Three Tower

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