Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | MSRT200140(A) |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Configuration de diode | 1 Pair Common Cathode |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 1400V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) | 200A (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200A |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
| Température de fonctionnement - Jonction | - |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | Three Tower |
| Package de périphérique fournisseur | Three Tower |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSRT200100(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER | 0 | Détails | |
 |
MSRT200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | 0 | Détails | |
 |
MSRT200120(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER | 0 | Détails | |
 |
MSRT200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | 0 | Détails | |
 |
MSRT200140(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER | 0 | Détails | |
 |
MSRT200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER | 0 | Détails | |
 |
MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER | 0 | Détails | |
 |
MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | 0 | Détails | |
 |
MSRT20060(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER | 0 | Détails | |
 |
MSRT20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | 0 | Détails | |
 |
MSRT20080(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER | 0 | Détails | |
 |
MSRT20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER | 0 | Détails |