DB105G

DIODE BRIDGE 600V 1A DB
DB105G P1
DB105G P1
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GeneSiC Semiconductor ~ DB105G

Numéro d'article
DB105G
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
DIODE BRIDGE 600V 1A DB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Ponts redresseurs
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Numéro d'article DB105G
État de la pièce Active
Type de diode Single Phase
La technologie Standard
Tension - Peak Reverse (Max) 600V
Courant - Rectifié moyen (Io) 1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.1V @ 1A
Courant - Fuite inverse @ Vr 10µA @ 600V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Package de périphérique fournisseur DB

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