HGTD3N60C3S9A

IGBT 600V 6A 33W TO252AA
HGTD3N60C3S9A P1
HGTD3N60C3S9A P2
HGTD3N60C3S9A P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ HGTD3N60C3S9A

Numéro d'article
HGTD3N60C3S9A
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article HGTD3N60C3S9A
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 6A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 3A
Puissance - Max 33W
Échange d'énergie 85µJ (on), 245µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 10.8nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -
Condition de test 480V, 3A, 82 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur TO-252AA

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