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| Numéro d'article | FQD11P06TM |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | D-Pak |
| Paquet / cas | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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FQD10N20CTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK | - | 0 | Détails |
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