FDMS0312AS

MOSFET N-CH 30V 18A PT8
FDMS0312AS P1
FDMS0312AS P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMS0312AS

Numéro d'article
FDMS0312AS
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 30V 18A PT8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article FDMS0312AS
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 22A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1815pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 18A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-PQFN (5x6), Power56
Paquet / cas 8-PowerTDFN

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