FDG410NZ

MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
FDG410NZ P1
FDG410NZ P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDG410NZ

Numéro d'article
FDG410NZ
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article FDG410NZ
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 535pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 420mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SC-70-6
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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