FDD6637

MOSFET P-CH 35V 13A DPAK
FDD6637 P1
FDD6637 P2
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDD6637

Numéro d'article
FDD6637
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET P-CH 35V 13A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article FDD6637
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 35V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 13A (Ta), 55A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2370pF @ 20V
Vgs (Max) ±25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.1W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6 mOhm @ 14A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D-PAK (TO-252AA)
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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