FDD2670

MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
FDD2670 P1
FDD2670 P2
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDD2670

Numéro d'article
FDD2670
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article FDD2670
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1228pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 3.6A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-252
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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