Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Diodes Incorporated ~ DMTH10H015LPS-13

Numéro d'article	DMTH10H015LPS-13
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	7.3A (Ta), 44A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	33.3nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1871pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.3W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerDI5060-8
Paquet / cas	8-PowerTDFN

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
DMTH10H005LCT	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB	-	0	Détails
DMTH10H005SCT	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB	-	38691	Détails
DMTH10H010LCT	Diodes Incorporated	MOSFET 100V 108A TO220AB	-	79	Détails
DMTH10H010LCTB-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R	-	2400	Détails
DMTH10H010LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50	-	103814	Détails
DMTH10H010SCT	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T	-	48383	Détails
DMTH10H010SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8	-	103814	Détails
DMTH10H010SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50	-	75165	Détails
DMTH10H015LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 100V 52.5A TO252	-	25000	Détails
DMTH10H015LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI	-	5000	Détails
DMTH10H015SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50	-	123776	Détails
DMTH10H015SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50	-	103106	Détails