DMT3020LFDB-7

MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
DMT3020LFDB-7 P1
DMT3020LFDB-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMT3020LFDB-7

Numéro d'article
DMT3020LFDB-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article DMT3020LFDB-7
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 393pF @ 15V
Puissance - Max 700mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-UDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur U-DFN2020-6 (Type B)

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