DMN61D8LVT-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
DMN61D8LVT-7 P1
DMN61D8LVT-7 P2
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Diodes Incorporated ~ DMN61D8LVT-7

Numéro d'article
DMN61D8LVT-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DMN61D8LVT-7 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article DMN61D8LVT-7
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12.9pF @ 12V
Puissance - Max 820mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur TSOT-26

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