DMN24H11DS-7

MOSFET BVDSS 101V-250V SOT23 T
DMN24H11DS-7 P1
DMN24H11DS-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN24H11DS-7

Numéro d'article
DMN24H11DS-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET BVDSS 101V-250V SOT23 T
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DMN24H11DS-7 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article DMN24H11DS-7
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 240V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 270mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 76.8pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 750mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-23
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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