DMN2011UFX-7

MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
DMN2011UFX-7 P1
DMN2011UFX-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN2011UFX-7

Numéro d'article
DMN2011UFX-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DMN2011UFX-7 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article DMN2011UFX-7
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2248pF @ 10V
Puissance - Max 2.1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 4-VFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur V-DFN2050-4

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