DMG6602SVTX-7

MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR
DMG6602SVTX-7 P1
DMG6602SVTX-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMG6602SVTX-7

Numéro d'article
DMG6602SVTX-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article DMG6602SVTX-7
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel Complementary
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3.1A, 10V, 95 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V, 9nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V, 420pF @ 15V
Puissance - Max 840mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur TSOT-26

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