DGD2012S8-13

IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K
DGD2012S8-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DGD2012S8-13

Numéro d'article
DGD2012S8-13
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article DGD2012S8-13
État de la pièce Active
Configuration pilotée Half-Bridge
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 10V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.5V
Courant - sortie de crête (source, évier) 1.9A, 2.3A
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 200V
Rise / Fall Time (Typ) 40ns, 20ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO

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