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| Numéro d'article | BSS138DWQ-7 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 50V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 200mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 220mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Puissance - Max | 200mW |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-363 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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BSS100 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 220MA TO92 | - | 19310 | Détails |
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BSS110 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 170MA TO92 | - | 19310 | Détails |
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BSS119 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Détails | |
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BSS119 E7796 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Détails | |
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BSS119 E7978 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Détails | |
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BSS119E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Détails | |
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BSS119L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Détails | |
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BSS119L6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Détails | |
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BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 | 3000 | Détails | |
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BSS119NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 | - | 0 | Détails |
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BSS123 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | - | 534000 | Détails |
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BSS123 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Détails |