S27KS0641DPBHB023

NOR
S27KS0641DPBHB023 P1
S27KS0641DPBHB023 P1
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Cypress Semiconductor Corp ~ S27KS0641DPBHB023

Numéro d'article
S27KS0641DPBHB023
Fabricant
Cypress Semiconductor Corp
La description
NOR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Mémoire
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Numéro d'article S27KS0641DPBHB023
État de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie DRAM
Taille mémoire 64Mb (8M x 8)
Fréquence d'horloge 166MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 40ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7 V ~ 1.95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -

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