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| Numéro d'article | DMT2P1K-F |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Capacitance | 0.1µF |
| Tolérance | ±10% |
| Tension nominale - AC | 125V |
| Tension nominale - DC | 250V |
| Matériau diélectrique | Polyester, Metallized |
| ESR (résistance série équivalente) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | Radial |
| Taille / Dimension | 0.819" L x 0.354" W (20.80mm x 9.00mm) |
| Hauteur - Assis (Max) | 0.606" (15.40mm) |
| Résiliation | PC Pins |
| Espacement de plomb | 0.669" (17.00mm) |
| Applications | General Purpose |
| Évaluations | - |
| Caractéristiques | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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DMT10H009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | - | 120813 | Détails |
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DMT10H009SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | - | 136503 | Détails |
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DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | - | 127 | Détails |
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DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | - | 0 | Détails |
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DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | - | 0 | Détails |
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DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | - | 0 | Détails |
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DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | - | 111325 | Détails |
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DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | - | 0 | Détails |
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DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | - | 0 | Détails |
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DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | - | 0 | Détails |
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DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | - | 0 | Détails |
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DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | - | 0 | Détails |