TP2104K1-G

MOSFET P-CH 40V 0.16A SOT23-3
TP2104K1-G P1
TP2104K1-G P1
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Microchip Technology ~ TP2104K1-G

Numéro d'article
TP2104K1-G
Fabricant
Microchip Technology
La description
MOSFET P-CH 40V 0.16A SOT23-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- TP2104K1-G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article TP2104K1-G
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 160mA (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-236AB (SOT23)
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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