TC2320TG-G

MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
TC2320TG-G P1
TC2320TG-G P1
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Microchip Technology ~ TC2320TG-G

Numéro d'article
TC2320TG-G
Fabricant
Microchip Technology
La description
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- TC2320TG-G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article TC2320TG-G
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 25V
Puissance - Max -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC

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