DN3135N8-G

MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3
DN3135N8-G P1
DN3135N8-G P1
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Microchip Technology ~ DN3135N8-G

Numéro d'article
DN3135N8-G
Fabricant
Microchip Technology
La description
MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DN3135N8-G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article DN3135N8-G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 350V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 135mA (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique Depletion Mode
Dissipation de puissance (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 Ohm @ 150mA, 0V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-243AA (SOT-89)
Paquet / cas TO-243AA

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