AON6912ALS_102

MOSFET N-CH
AON6912ALS_102 P1
AON6912ALS_102 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AON6912ALS_102

Numéro d'article
AON6912ALS_102
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description
MOSFET N-CH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- AON6912ALS_102 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article AON6912ALS_102
État de la pièce Last Time Buy
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
La technologie -
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 34A (Tc), 13.8A (Ta), 52A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.7 mOhm @ 10A, 10V, 7.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Caractéristique Standard
Dissipation de puissance (Max) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-DFN-EP (5x6)
Paquet / cas 8-PowerVDFN

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