AON2701L#A

MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN
AON2701L#A P1
AON2701L#A P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AON2701L#A

Numéro d'article
AON2701L#A
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description
MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- AON2701L#A PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article AON2701L#A
État de la pièce Obsolete
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 3A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-DFN (2x2)
Paquet / cas 6-WDFN Exposed Pad

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