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| Numéro d'article | ALD110800ASCL |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 4 N-Channel, Matched Pair |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 10.6V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 10mV @ 1µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Puissance - Max | 500mW |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 16-SOIC |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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ALD1101APAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | 0 | Détails | |
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ALD1101ASAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | 10 | Détails | |
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ALD1101BPAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | 0 | Détails | |
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ALD1101BSAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | 0 | Détails | |
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ALD1101PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | 213 | Détails | |
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ALD1101SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | 95 | Détails | |
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ALD1102APAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP | 51 | Détails | |
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ALD1102ASAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC | 151 | Détails | |
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ALD1102BPAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP | 0 | Détails | |
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ALD1102BSAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC | 0 | Détails | |
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ALD1102PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP | 155 | Détails | |
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ALD1102SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC | 70 | Détails |