CSD88539ND

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
CSD88539ND P1
CSD88539ND P1
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Texas Instruments ~ CSD88539ND

Número de pieza
CSD88539ND
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza CSD88539ND
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 741pF @ 30V
Potencia - Max 2.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC

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