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| Número de pieza | CSD85312Q3E |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Característica FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 39A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 10A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 10V |
| Potencia - Max | 2.5W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-PowerVDFN |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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