CSD86311W1723

MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
CSD86311W1723 P1
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Texas Instruments ~ CSD86311W1723

Número de pieza
CSD86311W1723
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- CSD86311W1723 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza CSD86311W1723
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 2A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 585pF @ 12.5V
Potencia - Max 1.5W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 12-UFBGA, DSBGA
Paquete de dispositivo del proveedor 12-DSBGA

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