CSD86360Q5D

MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
CSD86360Q5D P1
CSD86360Q5D P1
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Texas Instruments ~ CSD86360Q5D

Número de pieza
CSD86360Q5D
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- CSD86360Q5D PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza CSD86360Q5D
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2060pF @ 12.5
Potencia - Max 13W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-PowerLDFN
Paquete de dispositivo del proveedor 8-LSON (5x6)

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