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| Número de pieza | APT15DQ120BCTG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 15A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 3.3V @ 15A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 240ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 21 | Detalles |
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APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 96 | Detalles |
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APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 19 | Detalles |
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APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 16 | Detalles |
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APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 15 | Detalles |
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APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | - | 0 | Detalles |
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APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | - | 29 | Detalles |
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APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | Detalles |
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APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | - | 14 | Detalles |
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APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | Detalles |
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APT15D100KG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 | - | 509 | Detalles |
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APT15D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 | 0 | Detalles |