Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT15DQ120BCTG |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 15A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 15A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 240ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 21 | Einzelheiten |
 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 96 | Einzelheiten |
 |
APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 19 | Einzelheiten |
 |
APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 16 | Einzelheiten |
 |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 15 | Einzelheiten |
 |
APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | - | 0 | Einzelheiten |
 |
APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | - | 29 | Einzelheiten |
 |
APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | - | 14 | Einzelheiten |
 |
APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
APT15D100KG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 | - | 509 | Einzelheiten |
 |
APT15D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 | 0 | Einzelheiten |