VS-GT300FD060N

IGBT 600V 379A 1250W DIAP
VS-GT300FD060N P1
VS-GT300FD060N P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GT300FD060N

Artikelnummer
VS-GT300FD060N
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
IGBT 600V 379A 1250W DIAP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- VS-GT300FD060N PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer VS-GT300FD060N
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Three Level Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 379A
Leistung max 1250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 300A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 23.3nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Dual INT-A-PAK (4 + 8)
Lieferantengerätepaket Dual INT-A-PAK

Verwandte Produkte

Alle Produkte