VS-GT100DA120U

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227
VS-GT100DA120U P1
VS-GT100DA120U P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GT100DA120U

Artikelnummer
VS-GT100DA120U
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
IGBT 1200V 258A 893W SOT-227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
VS-GT100DA120U.pdf VS-GT100DA120U PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer VS-GT100DA120U
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ Trench
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 258A
Leistung max 893W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Lieferantengerätepaket SOT-227

Verwandte Produkte

Alle Produkte