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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SI6562DQ-T1-GE3 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N and P-Channel |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |