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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI6562CDQ-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6.7A, 6.1A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 10V |
| Leistung max | 1.6W, 1.7W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP | - | 6000 | Einzelheiten |
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SI6562DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP | - | 0 | Einzelheiten |
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SI6562DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP | - | 0 | Einzelheiten |