SI1031X-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
SI1031X-T1-GE3 P1
SI1031X-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI1031X-T1-GE3

Artikelnummer
SI1031X-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer SI1031X-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 155mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±6V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 300mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 150mA, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-75A
Paket / Fall SC-75A

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