SI1031X-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
SI1031X-T1-GE3 P1
SI1031X-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI1031X-T1-GE3

品番
SI1031X-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- SI1031X-T1-GE3 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 SI1031X-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 155mA (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.5V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 1.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) ±6V
FET機能 -
消費電力(最大) 300mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 8 Ohm @ 150mA, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SC-75A
パッケージ/ケース SC-75A

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