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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SSM6J50TU,LF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 500mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | UF6 |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SSM6322ACPZ-R2 | Analog Devices Inc. | IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP | 250 | Einzelheiten | |
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SSM6J207FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SSM6J212FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SSM6J213FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 | - | 4000 | Einzelheiten |
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SSM6J215FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 | - | 12000 | Einzelheiten |
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SSM6J409TU(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6 | - | 0 | Einzelheiten |