SSM6H19NU,LF

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
SSM6H19NU,LF P1
SSM6H19NU,LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6H19NU,LF

Artikelnummer
SSM6H19NU,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer SSM6H19NU,LF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.2V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 10V
Vgs (Max) ±12V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 185 mOhm @ 1A, 8V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-UDFN (2x2)
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad

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