GT10J312(Q)

IGBT 600V 10A 60W TO220SM
GT10J312(Q) P1
GT10J312(Q) P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ GT10J312(Q)

Artikelnummer
GT10J312(Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer GT10J312(Q)
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 10A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 20A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Leistung max 60W
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung -
Td (ein / aus) bei 25 ° C 400ns/400ns
Testbedingung 300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 200ns
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket TO-220SM

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