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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 2SK2009TE85LF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 3V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 200mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 50MA, 2.5V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-59-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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2SK2009TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI | - | 0 | Einzelheiten |
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2SK2034TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 100MA USM | - | 0 | Einzelheiten |
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2SK2035(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM | - | 0 | Einzelheiten |
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2SK208-GR(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH S-MINI FET | - | 3000 | Einzelheiten |
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2SK208-O(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH S-MINI FET | - | 0 | Einzelheiten |
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2SK208-R(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 50V S-MINI | - | 3000 | Einzelheiten |
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2SK208-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 50V S-MINI | - | 3000 | Einzelheiten |
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2SK209-BL(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | JFET N-CH SOT23 | - | 3000 | Einzelheiten |
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2SK209-GR(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | JFET N-CH SOT23 | - | 21000 | Einzelheiten |
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2SK209-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | JFET N-CH SOT23 | - | 3000 | Einzelheiten |
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2SK2094TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 2A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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2SK2095N | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN | 0 | Einzelheiten |